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XP161A11A1PR-G
■ ELECTRICAL CHARACTERISTICS
DC Characteristics
Ta = 25 ℃
PARAMETER
Drain Cut-Off Current
Gate-Source Leak Current
Gate-Source Cut-Off Voltage
Drain-Source On-State Resistance*1
Forward Transfer Admittance *1
Body Drain Diode
Forward Voltage
SYMBOL
Idss
Igss
Vgs(off)
Rds(on)
| Yfs |
Vf
CONDITIONS
Vds=30V, Vgs= 0V
Vgs= ± 20V, Vds= 0V
Id= 1mA, Vds= 10V
Id= 2A, Vgs= 10V
Id= 2A, Vgs= 4.5V
Id= 2A, Vds= 10V
If= 4A, Vgs= 0V
MIN.
-
-
1.0
-
-
-
-
TYP.
-
-
-
0.05
0.075
5.5
0.85
MAX.
10
± 10
2.5
0.065
0.105
-
1.1
UNITS
μ A
μ A
V
Ω
Ω
S
V
*1 Effective during pulse test.
Dynamic Characteristics
Ta = 25 ℃
PARAMETER
Input Capacitance
Output Capacitance
Feedback Capacitance
SYMBOL
Ciss
Coss
Crss
CONDITIONS
Vds= 10V, Vgs=0V
f= 1MHz
MIN.
-
-
-
TYP.
270
150
55
MAX.
-
-
-
UNITS
pF
pF
pF
Switching Characteristics
Ta = 25 ℃
PARAMETER
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
SYMBOL
td (on)
tr
td (off)
tf
CONDITIONS
Vgs= 5V, Id=2A
Vdd= 10V
MIN.
-
-
-
-
TYP.
10
15
35
15
MAX.
-
-
-
-
UNITS
ns
ns
ns
ns
Thermal Characteristics
PARAMETER
Thermal Resistance
(Channel-Ambience)
SYMBOL
Rth (ch-a)
CONDITIONS
Implement on a ceramic PCB
MIN.
-
TYP.
62.5
MAX.
-
UNITS
℃ /W
2/5
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